2023年國家公務(wù)員考試常識積累：光刻技術(shù)

　　行測常識判斷考點范圍很廣，一般包括政治、法律、經(jīng)濟、人文、地理、科技、生活等方面，需要小伙伴們長時間不間斷的積累。今天公考通（m.caichenglipin.com）給大家?guī)淼某ＷR相關(guān)考點是“光刻技術(shù)”。

　　光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，再通過顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠，后者稱負性光刻膠)，使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上;最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。

　　1.光刻技術(shù)原理

　　光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。

　　光刻技術(shù)是一種精密的微細加工技術(shù)。常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗光刻技術(shù)蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝。

　　2.光刻技術(shù)的特點

　　光刻技術(shù)特點是：采用像面分割原理，以覆蓋最大芯片面積的單次曝光區(qū)作為最小成像單元，從而為獲得高分辨率的光學(xué)系統(tǒng)創(chuàng)造條件。

　　3.光刻技術(shù)的應(yīng)用

　　常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝。在廣義上，它包括光復(fù)印和刻蝕工藝兩個主要方面。

　　1）光復(fù)印工藝：經(jīng)曝光系統(tǒng)將預(yù)制在掩模版上的器件或電路圖形按所要求的位置，精確傳遞到預(yù)涂在晶片表面或介質(zhì)層上的光致抗蝕劑薄層上。

　　2）刻蝕工藝：利用化學(xué)或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質(zhì)層除去，從而在晶片表面或介質(zhì)層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝總是多次反復(fù)進行。例如，大規(guī)模集成電路要經(jīng)過約10次光刻才能完成各層圖形的全部傳遞。

　　在狹義上，光刻工藝僅指光復(fù)印工藝。

　　刷題鞏固

　　1、傳統(tǒng)的光刻技術(shù)中，鏡頭與光刻膠之間的介質(zhì)是空氣，而浸入式技術(shù)是將空氣介質(zhì)換成液體，得到合適波長的光，以提高成像分辨率，以下說法錯誤的是：

　　A. 液體局部溫度起伏會引起成像質(zhì)量惡化

　　B. 為了減少液體對光線的吸收，液層厚度不能太大

　　C. 以純水為介質(zhì)時，可以選取任意波長紫外光為光源

　　D. 可以注入高折射率的液體以得到更高頻率的光，提高成像分辨率

　　正確答案是 C

　　第一步，本題考查科技常識并選錯誤項。

　　第二步，水作溶劑時，最低波長極限是210nm，所以一般吸收都在遠紫外區(qū)，因此以純水為介質(zhì)時，不能夠選取任意波長紫外光為光源。C項錯誤，本題為選非題。C項符合題意。

　　因此，選擇C選項。